PR Newswire 消费科技企业新闻·2026-09-09 21:00· 2026-09-09AI 评分26

DB HiTek 完成 8 英寸 1,200 V SiC MOSFET 工艺可靠性认证

DB HiTek Completes Reliability Qualification for 8-Inch 1,200 V SiC MOSFET Process

AI 导读

韩国 8 英寸晶圆代工厂 DB HiTek 完成了 1,200 V 碳化硅（SiC）MOSFET 工艺在 8 英寸（200 mm）晶圆上的可靠性认证，并建成全球首个完整的 1,200 V 8 英寸 SiC 代工工艺平台，目标 2027 年量产。