长鑫存储 CXMT 发布第五代 DRAM 平台并量产 LPDDR5X 内存

长鑫存储（CXMT）在 2026 世界制造业大会上宣布第五代 DRAM 技术平台进入量产，并将内存阵列有源区半间距缩小至 11.95 纳米，在可比条件下每片晶圆裸片产出较上一代提升逾 50%。同时推出两款 24-gigabit LPDDR5X 内存产品，可比上一代同级产品多存储 50% 数据。该平台发布之际，全球 DRAM 市场仍由三星、SK 海力士和美光主导。