京都大学团队在 6 英寸晶圆上制备耐热碳化硅晶体管，向实用电路迈进

京都大学与 Phenitec Semiconductor 合作，在 6 英寸 SiC 外延晶圆上制备出可在 600°C 工作的 JFET 结构晶体管，晶圆中心区域阈值电压标准差小于 0.07 伏。该团队将此前芯片级工艺转移至量产工厂的晶圆级生产，首次尝试即获得高均匀性。这一进展被视为面向喷气发动机传感器、地热开发等极端环境集成电路的技术里程碑。