PR Newswire 消费科技企业新闻·2026-09-09 16:00· 2026-09-09AI 评分27

DB HiTek 通过 1200V SiC MOSFET 工艺可靠性认证

DB HiTek прошла квалификационные испытания на надежность для процесса SIC MOSFET на 1 200 В

AI 导读

DB HiTek 宣布其 8 英寸（200mm）晶圆上 1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 工艺通过可靠性认证，并称已建成全球首个全功能 8 英寸 SiC 工艺平台。