SK 海力士推出 3D FeNAND 技术，瞄准 AI 计算

SK 海力士公布利用 3D FeNAND 实现模拟存内计算的研究成果，相关研究已发表于 IEEE 论文。该技术利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，可在单个存储单元内产生多种电流状态，适合 AI 计算所需的权重数据。模拟存内计算可直接在存储器中执行乘积累加运算，减少数据搬运，提升处理速度和能效。