PR Newswire 消费科技企业新闻·2026-09-09 16:00· 2026-09-09AI 评分29

DB HiTek 完成 1200V 八英寸 SiC MOSFET 制造可靠性认证

DB HiTek má kvalifikaci spolehlivosti pro osmipalcovou výrobu SiC MOSFETů s napětím 1 200 V

AI 导读

韩国八英寸晶圆代工厂 DB HiTek 完成 1200V SiC MOSFET 八英寸（200mm）工艺可靠性认证，量产计划定于 2027 年。公司向客户提供第一、二代 1200V SiC MOSFET 工艺 PDK，第三代 PDK 计划于今年 11 月推出，可使产品开发周期缩短一年以上。