PR Newswire 消费科技企业新闻·· 2026-09-09AI 评分41
DB HiTek 完成 8 英寸 1200V SiC MOSFET 工艺可靠性认证
DB HiTek finaliza la cualificación de fiabilidad para el proceso MOSFET de SiC de 8 pulgadas y 1.200 V
AI 导读
韩国 8 英寸晶圆代工厂 DB HiTek 完成 1200V 碳化硅（SiC）MOSFET 的 8 英寸（200mm）工艺可靠性认证，目标 2027 年量产。公司已向客户提供第一、二代 1200V SiC MOSFET 工艺 PDK，第三代 PDK 计划今年 11 月发布，使用后可缩短产品开发时间一年以上。
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