伊利诺伊大学曹庆团队用煤基碳纳米点突破二维电子器件介电层生长瓶颈

伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校曹庆团队与 NETL 合作，用烟煤提取的碳纳米点作为成核中心，在二硫化钼等二维材料上生长介电层，等效氧化层厚度 0.6 纳米、漏电流密度低于 0.1 毫安每平方厘米，超过 IEEE 国际器件与系统路线图目标。用该方法制备的场效应晶体管和逻辑门工作电压约 0.5 伏，低于当前先进硅技术典型的 0.6–0.8 伏。成果发表于 Nature Communications。