原子级厚度的氮碳化硼材料有望解决下一代芯片的晶体管瓶颈

东京大学Vincent Tung团队在《Nature》发表研究，展示原子级厚度的氮碳化硼（BCN）薄膜可稳定用作p型晶体管。他们用外延法生长出晶圆级BCN薄膜，并测试了224个晶体管，其开态电流比关态电流大1亿倍，多数器件性能超过芯片行业2031年目标。该材料在空气中保持稳定，有望推动原子级厚度的n型与p型晶体管配对及堆叠。