原子级薄晶体管有望超越硅的开关极限，改变计算

卡内基梅隆大学团队用二维半导体二硫化钼（MoS₂）造出物理沟道长度低于 5 纳米的晶体管，开关性能超越同尺寸硅的理论极限，这是首次实验实现这一突破。研究还通过晶体管沟道下方的空气隙增强栅极控制以减少漏电，并在 4 英寸（10 厘米）晶圆上完成制备。成果发表于《Nature Communications》。