PR Newswire 消费科技企业新闻·2026-09-09 16:00· 2026-09-09AI 评分30

DB HiTek 完成 8 英寸 1,200 V SiC MOSFET 工艺可靠性认证

DB HiTek Completes Reliability Qualification for 8-Inch 1,200 V SiC MOSFET Process

AI 导读

DB HiTek 宣布已完成 8 英寸（200 mm）晶圆上 1,200 V 碳化硅 MOSFET 工艺的可靠性认证，并建立全球首个完整的 8 英寸 SiC 代工工艺 flow，目标 2027 年量产。