DB HiTek 完成 8 英寸 1200V SiC MOSFET 工艺可靠性认证

韩国 8 英寸晶圆代工厂 DB HiTek 已完成 8 英寸（200 mm）1200V 碳化硅 MOSFET 工艺的可靠性认证，并称开发出全球首个 8 英寸 SiC 完整代工工艺链条。公司已向客户提供第一、二代 PDK，第三代 PDK 将于 11 月发布，客户采用后可将产品开发时间缩短一年以上；第二代工艺导通电阻 Rsp 为 2.5 mΩ•cm² 或更低。量产计划于 2027 年启动。