DB HiTek 完成 8 英寸 1200V SiC MOSFET 工艺可靠性认证

韩国 8 英寸晶圆代工厂 DB HiTek 已完成 8 英寸（200mm）1200V 碳化硅 MOSFET 制造工艺的可靠性认证，量产计划于 2027 年。公司已向客户提供第一、二代 PDK，第三代 PDK 预计 11 月推出，可使客户产品开发周期缩短一年以上。DB HiTek 称这是全球首个完整的 8 英寸 1200V SiC 代工工艺。