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PR Newswire 消费科技企业新闻·· 2026-09-09AI 评分48

DB HiTek 完成 8 英寸 1200V SiC MOSFET 工艺可靠性认证

DB HiTek schließt die Zuverlässigkeitsqualifizierung für den 8-Zoll-1.200-V-SiC-MOSFET-Prozess ab

AI 导读

DB HiTek 已完成 8 英寸(200mm)晶圆上 1200V 碳化硅 MOSFET 工艺的可靠性认证,并建立全球首个完整 8 英寸 SiC 代工工艺 flow。

来源:PR Newswire 消费科技企业新闻 · prnewswire.com