Tech Times 科技与产业动态· William Chan·2026-10-15 19:06· 7 小时前AI 评分37

SK海力士推出高于 HBM 的新内存层级：3D Stacked DRAM 直接堆叠于处理器芯片

SK Hynix Introduces Memory Tier Above HBM: 3D Stacked DRAM Mounts on Processor Dies

AI 导读

SK海力士公布 3D Stacked DRAM 架构，通过硅通孔将 DRAM 直接键合到处理器芯片上，目标于2028年量产。该架构取消现有 HBM 所需的硅中介层，公司称可提高带宽并降低每比特功耗。目前正开发含16层有源芯片的配置。