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SK海力士公布处理器直连3D堆叠DRAM架构
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AI 综述
2026年10月15日，Tech Times报道称，SK海力士公布3D Stacked DRAM架构，通过硅通孔将DRAM直接键合到处理器芯片上，目标于2028年量产。该架构取消现有HBM所需的硅中介层，公司称可提高带宽，并降低每比特功耗。目前，SK海力士正开发包含16层有源芯片的配置。报道所述进展仍处于架构公布与配置开发阶段，2028年为目标量产时间。
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最新进展10月15日 19:06
SK海力士正开发含16层有源芯片的3D堆叠DRAM配置，目标2028年量产。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月15日
- Tech Times 科技与产业动态原文 ↗SK海力士推出高于 HBM 的新内存层级：3D Stacked DRAM 直接堆叠于处理器芯片
SK海力士公布 3D Stacked DRAM 架构，通过硅通孔将 DRAM 直接键合到处理器芯片上，目标于2028年量产。该架构取消现有 HBM 所需的硅中介层，公司称可提高带宽并降低每比特功耗。目前正开发含16层有源芯片的配置。
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