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Tech Xplore 科技、AI 与电子产业·· 4 小时前AI 评分31

KAIST 团队实现 2D 半导体晶体定点生长,破解 AI 堆叠芯片难题

Scientists control where 2D semiconductor crystals begin to grow, addressing key challenge in stacking AI chips

AI 导读

KAIST 团队开发出“刻蚀通量介导单中心成核”(EF-SCN)技术,利用氧化铪(HfO₂)势垒释放的氧作为刻蚀通量,抑制二硫化钼(MoS₂)晶核形成,使 2D 半导体仅在设计位置生长单个晶体,在 400 个不同图形中成功率超过 99%。

来源:Tech Xplore 科技、AI 与电子产业 · techxplore.com