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KAIST实现二维半导体单中心定点生长
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AI 综述
2026年10月13日，Tech Xplore报道，KAIST团队开发出“刻蚀通量介导单中心成核”（EF-SCN）技术，实现二维半导体晶体定点生长。该技术利用氧化铪（HfO₂）势垒释放的氧作为刻蚀通量，抑制二硫化钼（MoS₂）晶核形成，使二维半导体仅在设计位置生长单个晶体。报道给出的最新结果是，该技术在400个不同图形中的成功率超过99%。
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最新进展10月13日 23:40
KAIST团队开发EF-SCN技术，在400个不同图形中实现单晶定点生长，成功率超过99%。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月13日
- Tech Xplore 科技、AI 与电子产业原文 ↗KAIST 团队实现 2D 半导体晶体定点生长，破解 AI 堆叠芯片难题
KAIST 团队开发出“刻蚀通量介导单中心成核”（EF-SCN）技术，利用氧化铪（HfO₂）势垒释放的氧作为刻蚀通量，抑制二硫化钼（MoS₂）晶核形成，使 2D 半导体仅在设计位置生长单个晶体，在 400 个不同图形中成功率超过 99%。
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