三星追求更快HBM4，SK海力士加高堆叠，韩国AI内存竞争展开

三星电子与SK海力士在SEDEX 2026展示不同HBM4路线，分别侧重传输速度与堆叠容量。三星采用1c DRAM制程，12层堆叠容量为36GB；SK海力士采用1b制程，展示16层48GB方案，文章将两者分别联系到AI训练的带宽需求与推理的KV缓存容量瓶颈。SK海力士还提出基于NAND的高带宽闪存HBF方案，并计划于2027年1月完成其技术标准。