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三星与SK海力士展示HBM4速度与容量路线
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AI 综述
据10月15日报道，三星电子与SK海力士在SEDEX 2026展示了不同的HBM4技术路线，分别侧重传输速度与堆叠容量。三星采用1c DRAM制程，展示12层堆叠、容量36GB的方案；SK海力士采用1b制程，展示16层堆叠、容量48GB的方案。报道将两条路线分别联系到AI训练的带宽需求和推理的KV缓存容量瓶颈。此外，SK海力士提出基于NAND的高带宽闪存HBF方案，并计划于2027年1月完成其技术标准。
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最新进展10月15日 06:38
两家公司展示不同HBM4路线，SK海力士另提出HBF方案，计划2027年1月完成技术标准。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月15日
- Tech Times 科技与产业动态原文 ↗三星追求更快HBM4，SK海力士加高堆叠，韩国AI内存竞争展开
三星电子与SK海力士在SEDEX 2026展示不同HBM4路线，分别侧重传输速度与堆叠容量。三星采用1c DRAM制程，12层堆叠容量为36GB；SK海力士采用1b制程，展示16层48GB方案，文章将两者分别联系到AI训练的带宽需求与推理的KV缓存容量瓶颈。SK海力士还提出基于NAND的高带宽闪存HBF方案，并计划于2027年1月完成其技术标准。
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