POSTECH与KAIST开发κ相In2Se3晶圆级逻辑晶体管
先了解这件事
POSTECH与KAIST团队基于此前鲜有研究的κ相In₂Se₃开展晶圆级逻辑晶体管研究。2026年10月9日Tech Xplore报道称，团队在4英寸晶圆上采用热蒸发加250°C低温退火工艺，制备出约10 nm厚的均匀薄膜，并制成576个晶体管阵列。截至目前，该报道为该事件的最新进展，尚无后续报道披露器件性能测试结果或量产计划。
AI 根据报道生成 · 6 天前更新
影响与行动
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κ相硒化铟实现4英寸晶圆级逻辑晶体管
首条进展 · 最近进展 （北京时间）
影响级别
⚪背景知识
发生了什么
2026年10月8日，POSTECH与KAIST团队在《Nature Communications》发表研究：基于此前鲜少研究的κ相In₂Se₃，用热蒸发加250°C低温退火，在4英寸晶圆上制备约10nm厚均匀薄膜，制成576个晶体管（24×24阵列）。器件平均电子迁移率39.3 cm²V⁻¹s⁻¹，开关电流比超10⁸，经100ns脉冲1000万次开关仍稳定；并与p型Se-TeOx集成出互补反相器。 [1]
本条涉及：κ相硒化铟晶体管、互补反相器
对卖家的影响
- 事实技术层面，κ相抑制铁电存储效应且退火低于450°C，满足三维集成热预算，为在硅电路上叠层提供可行路径；但4英寸、实验室576管阵列与量产8/12英寸仍有明显尺度差距，良率与成本未知。 [1]
- 推断产业化层面，此阶段属实验室验证，距设备、材料、代工认证与量产通常以年计；目前无产线、成本、良率或供货数据，对当前电子卖家采购无直接可用替代。 [1]
一个可执行建议
仅作趋势跟踪：收藏论文DOI 10.1038/s41467-026-72553-y，每季度复核是否出现8/12英寸或代工验证进展。
证伪信号
- 判断 1：若后续研究无法在更大晶圆重复均匀性，或实测存储效应未真正抑制，则该判断失效。
- 判断 2：若有厂商公布产线验证或量产时间表，或出现同类大面积二维半导体商用器件，则该推断需修正。
报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
- Tech Xplore 科技、AI 与电子产业原文 ↗POSTECH 团队利用被忽视的 κ 相硒化铟实现晶圆级逻辑晶体管
POSTECH 与 KAIST 团队基于此前鲜有研究的 κ 相 In₂Se₃，在 4 英寸晶圆上通过热蒸发加 250 °C 低温退火制备出约 10 nm 厚的均匀薄膜，并制成 576 个晶体管阵列。
本事件热度走势
当前热度 3·可比范围峰值 10（10月9日 02:00）·近 24 小时可比范围变化 -50%
趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。