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北大团队提出芯片嵌入式两相介电液冷却方案
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AI 综述
2026年10月13日，Tech Xplore报道，北京大学研究人员提出基于HFE-7100介电液的芯片嵌入式两相冷却方案，相关成果发表于《Nature Electronics》。该方案采用水平进液、垂直排汽的歧管结构，通过冷却液沸腾吸热带走芯片热量，临界热流密度达到1,570 W cm⁻²，高于报道所述既往介电液方案常见的1,000 W cm⁻²以下水平。报道称，该方案可规避水基冷却的电导短路风险，并可直接与标准半导体工艺集成。
AI 根据报道生成 · 10 小时前更新
最新进展10月13日 02:40
北大团队方案发表于《Nature Electronics》，临界热流密度达1,570 W cm⁻²。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月13日
- Tech Xplore 科技、AI 与电子产业原文 ↗北京大学团队提出 HFE-7100 介电液嵌入式两相冷却，临界热流密度达 1,570 W cm⁻²
北京大学研究人员提出一种基于介电液 HFE-7100 的嵌入式两相冷却方案，用水平进液、垂直排汽的 manifold 结构，使临界热流密度达到 1,570 W cm⁻²，高于既往介电液方案常见的 1,000 W cm⁻² 以下水平。该方案以 coolant 沸腾吸热带走芯片热量，规避了水基冷却的电导短路风险，并称可直接与标准半导体工艺集成。相关成果发表于 Nature Electronics。
本事件热度走势
当前热度 7·可比范围峰值 9（10月13日 05:00）·近 24 小时可比范围变化 –
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